12月19日上午,陜西半導體先導技術中心有限公司副總經(jīng)理田鴻昌博士受邀參加第七屆全國新型半導體功率器...
12月15日下午,陜西半導體先導技術中心有限公司開展了題為《SiC MOSFET模塊設計、測試與驅(qū)動保護技術》培訓。
先導中心即將推出的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品SA1M12000020型號,采用自對準短溝道工藝,大幅度降低了器件...
日前,陜西半導體先導技術中心所申報的《1200V等級系列SiC高壓大功率器件芯片技術》獲得2021西安“好設...
11月18日上午,陜西半導體先導技術中心有限公司中試線通電儀式在西安半導體產(chǎn)業(yè)園舉行。通電儀式由公司...
按照《中國共產(chǎn)黨章程》、《中國共產(chǎn)黨基層組織選舉工作條例》規(guī)定,中共陜西半導體先導技術中心有限公...
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