繼國(guó)內(nèi)首款3300V 60mΩSiC MOSFET發(fā)布后，陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心又爆出“技術(shù)狠活”，

推出其1200V 100A H橋全碳化硅模塊產(chǎn)品。

此模塊產(chǎn)品的芯片完全國(guó)產(chǎn)化，產(chǎn)品通態(tài)電阻更低、效率更高、損耗更低，可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行相應(yīng)配置。

因寄托了對(duì)客戶的深度理解和期待，倡導(dǎo)“龍頭-3300-60”MOSFET的聯(lián)名效應(yīng)，此產(chǎn)品被譽(yù)為“龍行1200-100-H”，

共SA1001K2ESHAF、SA1001K2ESHAN和SA1001K2ESHAH三個(gè)型號(hào)，

主要應(yīng)用于高頻切換、DC/DC變流器、電動(dòng)汽車直流充電器等領(lǐng)域。多年的技術(shù)積淀成就了“龍行1200-100-H”在各層面的優(yōu)質(zhì)特性，其大電流密度、低電感設(shè)計(jì)、低開(kāi)關(guān)損耗、高頻操作，

及來(lái)自MOSFET的零截止尾電流、正常關(guān)閉、故障安全的設(shè)備操作、易于并行、集成NTC溫度傳感器等特點(diǎn)，

將為其在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用保駕護(hù)航。

九萬(wàn)風(fēng)鵬，毳幕云開(kāi)。先導(dǎo)作為國(guó)家寬禁帶工程中心第一共建單位，利用核心關(guān)鍵技術(shù)，

針對(duì)不同客戶開(kāi)辟與應(yīng)用市場(chǎng)緊密結(jié)合的第三條技術(shù)路線。

“龍行1200-100-H”是為了適應(yīng)快速變化的市場(chǎng)環(huán)境而推出的戰(zhàn)略布局產(chǎn)品。

千淘萬(wàn)漉，吹盡狂沙。期待先導(dǎo)利用自身的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，不斷突破，貢獻(xiàn)更卓著的產(chǎn)品。

一、產(chǎn)品基本參數(shù)、外觀、內(nèi)部電路拓?fù)?/span>

二、優(yōu)勢(shì)參數(shù)

①先導(dǎo)中心三款H橋模塊產(chǎn)品，通態(tài)電阻低，效率更高、損耗更低

②產(chǎn)品耐高溫，性能穩(wěn)定

③擊穿電流大，可靠性高

④先導(dǎo)中心三款H橋模塊產(chǎn)品，開(kāi)啟、關(guān)斷時(shí)間短，效率高