先導(dǎo)中心即將推出1200V 20mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品
發(fā)布時間：2021-12-03
先導(dǎo)中心即將推出的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品SA1M12000020型號，采用自對準(zhǔn)短溝道工藝，大幅度降低了器件導(dǎo)通電阻，達(dá)到20mΩ，使其具有高開關(guān)速度、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，將為應(yīng)用系統(tǒng)帶來更高的功率密度、更高的工作溫度。
SA1M12000020型號目前在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，此型號產(chǎn)品在高功率密度電源和電驅(qū)動領(lǐng)域有較大的優(yōu)勢,在充電樁、儲能、工業(yè)電源有廣泛的應(yīng)用，特別是在可再生能源變頻器,電動車輛充電系統(tǒng),三相工業(yè)電源領(lǐng)域具備較大優(yōu)勢。由于可做到國內(nèi)領(lǐng)先的120A的單管Id電流，區(qū)別于目前主流市場的導(dǎo)通電阻80mΩ，額定電流40A的碳化硅MOSFET，在應(yīng)用領(lǐng)域,可大幅減少并聯(lián),有助實(shí)現(xiàn)更小型更高效的下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。同時相對其他等效的MOSFET，其有較低的導(dǎo)通電阻（20mΩ），從而減少發(fā)熱，有效解決市場之痛點(diǎn)。歡迎廣大客戶前來垂詢！
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