SiC MOSFET | ||||||
No. | Part No. | VDSS(V) | ID(A) | RDS(V),Typ.(mΩ) | Drive voltage (V) | Package |
VGS=20V | ||||||
1 | SA1M12000080D | 1200 | 36 | 80 | 20 | TO-247-3/TO-247-4/die |
2 | SA2M12000080D | 1200 | 42 | 80 | ||
3 | SA1M12000065D | 1200 | 47 | 65 | ||
4 | SA1M12000020D | 1200 | 100 | 20 | ||
5 | SA2M17001000D | 1700 | 2 | 1000 | TO-263-3/die | |
6 | SA2M17000040D | 1700 | 60 | 40 | Die | |
7 | SA1M33001000 | 3300 | 5 | 1000 | SOP-8/die |
已經(jīng)量產(chǎn)7款產(chǎn)品,具備1200V-3300V MOSFET芯片和器件全系列產(chǎn)品的研發(fā)能力。
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