1) 現(xiàn)有各類集成電路測(cè)試程序及適配器
2) 可測(cè)試從消費(fèi)類芯片到復(fù)雜的SoC芯片(包括:數(shù)字、模擬、混合信號(hào))
3) 可測(cè)試篩選各種大功率集成電路,電壓最高2000V,電流最大100A。
4) 可測(cè)通用A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、模擬開關(guān)、運(yùn)算放大器(含功率運(yùn)放)、電壓比較器、電源管理器件(電壓調(diào)整器、多端智能穩(wěn)壓器、精密電壓基準(zhǔn)、脈寬調(diào)制器PWM、DC轉(zhuǎn)換控制電路、電源監(jiān)控電路等)、數(shù)字電位計(jì)、驅(qū)動(dòng)電路、收發(fā)器、壓頻/頻壓轉(zhuǎn)換器、采樣保持器、電壓跟隨器、時(shí)基電路、達(dá)林頓陣列等模擬與混合類器件的交、直流參數(shù)測(cè)試
1) 可測(cè)試二極管、三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵雙極三極管(IGBT)、達(dá)林頓矩陣、光電耦合器和固態(tài)繼電器等類型器件。測(cè)試項(xiàng)目近百個(gè),除溫度、高頻等參數(shù)外,涵蓋了這幾類器件在國(guó)標(biāo)上列出的絕大部分測(cè)試參數(shù)。
2) 可測(cè)MOSFET與IGBT的動(dòng)態(tài)參數(shù)如開關(guān)特性、短路特性、二極管的反向恢復(fù)特性;額定測(cè)試電流不超過 300A;測(cè)試電壓不超過 4000V。
3) 可測(cè)FET/IGBT/Diode(非鉗位)和雙極性器件(帶鉗位)的雪崩擊穿特性(電壓/能量等)。
l 模塊類:
可測(cè)各種電源以及定制混合集成電路模塊等
可測(cè)電磁繼電器、固態(tài)繼電器(包括智能功率開關(guān))、光電耦合器等
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