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       陜西半導體先導技術中心成立于2017年5月，為適應國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略需求，按企業(yè)化運營模式而成立的共性企業(yè)研發(fā)平臺。主要致力于加快半導體前沿關鍵技術研發(fā)創(chuàng)新，推動以先進半導體器件和第三代半導體為核心的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，服務于中國先進半導體的技術創(chuàng)新和成果轉(zhuǎn)化。并建立半導體技術人才實習與培養(yǎng)的新一代體系，最終成為國家級半導體產(chǎn)業(yè)新技術和新工藝的推廣轉(zhuǎn)化基地。

技術方向

●  碳化硅產(chǎn)品技術：SiC JBS、SiC SBD、 SiC MOSFET等產(chǎn)品設計與關鍵工藝。

●  先進硅器件技術：先進硅功率器件、電源管理芯片、高密度、多結(jié)構的立體集成技術研究；進行傳感器網(wǎng)絡、微系統(tǒng)集成等方向的技術探索；開展新結(jié)構、新器件和新技術的市場化工作。

●  超寬禁帶半導體技術：進行氧化鎵、金剛石半導體、石墨烯、AIN等化合物半導體、化合物集成電路等創(chuàng)新性科研成果的轉(zhuǎn)化。